半导体的静电敏感度

装置型式

静电放电敏感度范围V

装置型式

静电放电敏感度范围V

VMOS

30-1800V

散粒(肖特基)二极管

300-2500

MOSFET

100-200V

薄片电阻(原细)

300-3000

GASFET

100-300V

双向晶体管

380-7000

EPPROM

100V

ECL(发射极耦合逻辑电路)

500-1500

JFET

140-7000V

SCR(可控硅)

680-1000

SAM

150-1500V

散粒(肖特基)晶体管

1000-2500

OP-AMP

190-2500V

--晶体管逻辑电路

1000-2500

CMOS

250-3000V